سامسونج تشحن أول وحدات HBM4E من 12 طبقة في الصناعة بعرض نطاق 3.6 TB/s

أعلنت شركة سامسونج للإلكترونيات في 29 مايو أنها بدأت شحن عينات من أول رقاقات ذاكرة HBM4E ذات 12 طبقة في العالم إلى كبار العملاء العالميين. تدفع هذه الخطوة سباق ذاكرة الذكاء الاصطناعي إلى الأمام في وقت يتجاوز فيه الطلب على الذاكرة عالية العرض النطاق العرض في صناعة مراكز البيانات.

ما توفره HBM4E

تحقق رقاقات HBM4E ذات 12 طبقة سرعة دبوس مستقرة تبلغ 14 Gbps، قابلة للزيادة حتى 16 Gbps — أسرع بنسبة تزيد عن 20% من HBM4 من سامسونج. يُترجم ذلك إلى عرض نطاق ذاكرة يصل إلى 3.6 تيرابايت في الثانية لكل كومة. تحصل السعة أيضًا على زيادة كبيرة: التكوين الأولي ذو 12 طبقة يُشحن بسعة 48 GB لكل كومة، بزيادة تزيد عن 30% عن الجيل السابق. تخطط سامسونج لتوسيع التشكيلة بإصدارات 32 GB (8 طبقات) و64 GB (16 طبقة) بناءً على طلب العملاء.

الهندسة وراء ذلك

بنيت سامسونج HBM4E على عملية DRAM من الجيل السادس من فئة 10 نانومتر (1c) وقاعدة منطقية من 4 نانومتر من شركة سامسونج فاوندري. تقول الشركة إن تحسين بنية الذاكرة والمنطق بالتزامن أدى إلى تحسين كفاءة الطاقة بنسبة 16% والمقاومة الحرارية بأكثر من 14% مقارنة بـ HBM4.

أين يتناسب مع سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي

أصبحت HBM واحدة من أهم المكونات استراتيجيًا في سلسلة توريد الذكاء الاصطناعي. كل وحدة معالجة رسومية من سلسلة H وسلسلة B من Nvidia وكل مسرع Instinct من AMD وكل شريحة ذكاء اصطناعي مخصصة من Google أو Amazon تعتمد على أكوام HBM. منافسو سامسونج الرئيسيون — SK Hynix و Micron — على مسارات تطوير متوازية. كانت SK Hynix المورد المفضل لـ HBM4 لوحدات معالجة الرسوميات Blackwell من Nvidia، مما يعطي سامسونج حافزًا تجاريًا لدفع عينات HBM4E للعملاء في أقرب وقت ممكن.

قال سانغ جون هوانغ، نائب الرئيس التنفيذي، إن الشركة ستواصل دفع نمو سوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي العالمي.

ما يأتي بعد ذلك

لم تلتزم سامسونج بموعد بدء الإنتاج الضخم لـ HBM4E. بالنظر إلى الجدول الزمني النموذجي للتأهيل، فإن أقرب نافذة واقعية للإنتاج الضخم هي أواخر 2026 أو أوائل 2027. لصناعة الحوسبة بالذكاء الاصطناعي، يمثل 3.6 TB/s لكل كومة معلمًا هامًا.

المصدر: غرفة أخبار سامسونج