Samsung liefert branchenweit erste 12-Layer-HBM4E mit 3,6 TB/s Bandbreite aus

Samsung Electronics hat laut eigener Ankündigung vom 29. Mai mit der Auslieferung von Mustern der weltweit ersten 12-Layer-HBM4E-Speicherchips an große globale Kunden begonnen. Der Schritt treibt das Rennen um KI-Speicher voran, während die Nachfrage nach HBM-Speicher das Angebot in der Rechenzentrumsbranche übersteigt.

Was HBM4E leistet

Die 12-Layer-HBM4E-Chips erreichen eine stabile Pin-Geschwindigkeit von 14 Gbit/s, skalierbar auf bis zu 16 Gbit/s – mehr als 20 Prozent schneller als Samsungs HBM4. Die anfängliche 12-Layer-Konfiguration liefert 48 GB pro Stack, ein Plus von über 30 Prozent gegenüber der Vorgängergeneration.

Die Technik dahinter

Samsung hat HBM4E auf seinem DRAM-Prozess der 6. Generation in der 10-nm-Klasse (1c) und einem 4-nm-Logik-Base-Die aus der Samsung Foundry aufgebaut. Die gleichzeitige Optimierung verbesserte die Energieeffizienz um 16 Prozent und den Wärmewiderstand um mehr als 14 Prozent im Vergleich zu HBM4.

Wo es in den KI-Speichermarkt passt

HBM ist zu einer der strategisch wichtigsten Komponenten in der KI-Lieferkette geworden. Jede Nvidia H-Series- und B-Series-GPU, jeder AMD-Instinct-Beschleuniger und jeder kundenspezifische KI-Chip von Google oder Amazon ist auf HBM-Stacks angewiesen. SK Hynix war der bevorzugte HBM4-Lieferant für Nvidias Blackwell-GPUs, was Samsung einen kommerziellen Anreiz gibt, HBM4E-Muster so früh wie möglich an Kunden zu bringen.

Was als Nächstes kommt

Samsung hat sich nicht auf ein Startdatum für die Massenproduktion von HBM4E festgelegt. Das früheste realistische Massenproduktionsfenster liegt Ende 2026 oder Anfang 2027. Für die KI-Computing-Branche sind 3,6 TB/s pro Stack ein bedeutender Meilenstein.

Quelle: Samsung Newsroom