Samsung envía las primeras muestras de HBM4E de 12 capas con 3,6 TB/s de ancho de banda

Samsung Electronics ha empezado a distribuir muestras de los primeros chips de memoria HBM4E de 12 capas del mundo a importantes clientes globales, según anunció la compañía el 29 de mayo. Este movimiento acelera la carrera de la memoria para IA en un momento en que la demanda de memoria de alto ancho de banda supera la oferta en toda la industria de centros de datos.

Qué ofrece HBM4E

Los chips HBM4E de 12 capas alcanzan una velocidad de pin estable de 14 Gbps, escalable hasta 16 Gbps, más de un 20% más rápido que el HBM4 de Samsung. Eso se traduce en un ancho de banda de memoria de hasta 3,6 terabytes por segundo por stack. La capacidad también da un salto significativo: la configuración inicial de 12 capas llega a 48 GB por stack, más de un 30% respecto a la generación anterior.

La ingeniería detrás

Samsung construyó HBM4E sobre su proceso DRAM de sexta generación en clase 10nm (1c) y un dado base lógico de 4 nm de Samsung Foundry, la misma combinación utilizada en su producción de HBM4. La compañía afirma que optimizar tanto las arquitecturas de memoria como las lógicas de forma conjunta mejoró la eficiencia energética en un 16% y la resistencia térmica en más de un 14%.

Su lugar en el mercado de memoria para IA

HBM se ha convertido en uno de los componentes más estratégicos de la cadena de suministro de IA. Cada GPU de la serie H y B de Nvidia, cada acelerador Instinct de AMD y cada chip de IA personalizado de Google o Amazon dependen de stacks de HBM. Los principales rivales de Samsung —SK Hynix y Micron— avanzan en paralelo. SK Hynix ha sido el proveedor preferido de HBM4 para las GPU Blackwell de Nvidia. Sang Joon Hwang declaró que la compañía seguirá impulsando el crecimiento del mercado global de memoria para IA.

Qué viene después

Samsung no se ha comprometido con una fecha de inicio de producción en masa de HBM4E. Dado el plazo típico de calificación, la ventana más realista para la producción en masa es finales de 2026 o principios de 2027. Para la industria de cómputo de IA, 3,6 TB/s por stack es un hito significativo.

Fuente: Samsung Newsroom