Samsung expédie les premiers HBM4E 12 couches de l'industrie avec 3,6 To/s de bande passante

Samsung Electronics a commencé à expédier des échantillons des premières puces mémoire HBM4E 12 couches au monde à des clients majeurs à l'échelle mondiale, a annoncé l'entreprise le 29 mai. Cette initiative accélère la course à la mémoire IA à un moment où la demande de mémoire à haute bande passante dépasse l'offre dans l'industrie des centres de données.

Ce qu'apporte le HBM4E

Les puces HBM4E 12 couches atteignent une vitesse de broche stable de 14 Gbps, extensible jusqu'à 16 Gbps — soit plus de 20% plus rapide que le HBM4 de Samsung. La capacité bénéficie également d'une augmentation significative: la configuration initiale 12 couches offre 48 Go par stack, soit plus de 30% de plus que la génération précédente.

L'ingénierie derrière tout cela

Samsung a construit le HBM4E sur son procédé DRAM de 6e génération de classe 10nm (1c) et une puce de base logique en 4nm de Samsung Foundry. L'optimisation conjointe des architectures mémoire et logique a amélioré l'efficacité énergétique de 16% et la résistance thermique de plus de 14% par rapport au HBM4.

Sa place dans le marché de la mémoire IA

Le HBM est devenu l'un des composants les plus stratégiques de la chaîne d'approvisionnement IA. Chaque GPU des séries H et B de Nvidia, chaque accélérateur AMD Instinct, et chaque puce IA personnalisée de Google ou Amazon dépend de stacks de HBM. Les principaux rivaux de Samsung — SK Hynix et Micron — sont sur des trajectoires de développement parallèles. SK Hynix a été le fournisseur privilégié de HBM4 pour les GPU Blackwell de Nvidia.

La suite

Samsung ne s'est pas engagé sur une date de début de production en masse pour le HBM4E. La fenêtre de production en masse la plus réaliste se situe fin 2026 ou début 2027. Pour l'industrie du calcul IA, 3,6 To/s par stack est une étape significative.

Source: Samsung Newsroom